- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/11597 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs les électrodes de grille comprenant une couche utilisée pour ses propriétés de mémoire ferro-électrique, p.ex. semi-conducteur métal-ferro-électrique [MFS] ou semi-conducteur d’isolation métal-ferro-électrique-métal [MFMIS] caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur
Détention brevets de la classe H01L 27/11597
Brevets de cette classe: 402
Historique des publications depuis 10 ans
|
1
|
6
|
10
|
22
|
29
|
53
|
95
|
116
|
67
|
10
|
| 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
115 |
| Sandisk Technologies LLC | 5684 |
66 |
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
40 |
| SK Hynix Inc. | 11030 |
29 |
| Kioxia Corporation | 9847 |
27 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
18 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1115 |
14 |
| Sunrise Memory Corporation | 192 |
8 |
| Intel Corporation | 45621 |
6 |
| IMEC VZW | 1410 |
6 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2562 |
5 |
| Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1290 |
4 |
| International Business Machines Corporation | 60644 |
3 |
| Applied Materials, Inc. | 16587 |
3 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 100781 |
3 |
| National Taiwan Normal University | 124 |
3 |
| Nustorage Technology Co., Ltd. | 6 |
3 |
| Ferroelectric Memory GmbH | 64 |
3 |
| Renesas Electronics Corporation | 6305 |
2 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 10902 |
2 |
| Autres propriétaires | 42 |